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TK8A65D(STA4,Q,M)

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Numero di parte TK8A65D(STA4,Q,M)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino 5.280 piece(s)
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Specifiche TK8A65D(STA4,Q,M)

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie��-MOSVII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs840 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220SIS
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

TK8A65D(STA4,Q,M) Packaging

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Packing
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TK8A65D(STA4,Q,M) FAQ

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Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK8A65D(STA4,Q,M))

RoHS: Compliant
 0
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 Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS

 36
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 5531
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 Toshiba America Electronic Components

OEM/CM Immediate delivery

 18000
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D# 757-TK8A65DSTA4QM

 Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

RoHS: Compliant
 147
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MOSFET N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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