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TK8P60W,RVQ

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TK8P60W,RVQ

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Numero di parte TK8P60W,RVQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 22.800 piece(s)
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Specifiche TK8P60W,RVQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds570pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK8P60W,RVQ Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

TK8P60W,RVQ FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of TK8P60W,RVQ?
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N 600V 8A 3-Pin DPAK Emboss T/R - Tape and Reel (Alt: TK8P60W,RVQ)

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Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin D2PAK (Alt: TK8P60W,RVQ(S)

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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Min Qty: 5
Container: Cut Tape
2050
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MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

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695
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MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

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