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TPC6010-H(TE85L,FM

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Numero di parte TPC6010-H(TE85L,FM
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
Scheda dati
pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche TPC6010-H(TE85L,FM

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieU-MOSVI-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds830pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs59 mOhm @ 3.1A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreVS-6 (2.9x2.8)
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

TPC6010-H(TE85L,FM Packaging

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Packing
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Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N-CH 60V 6.1A 6-Pin VS T/R - Tape and Reel (Alt: TPC6010-H(TE85L,FM)

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6

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