Name: TPCC8001-H(TE12LQM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPCC8001-H-TE12LQM
Availability: InStock
Rating: 5 (75 reviews)

TPCC8001-H(TE12LQM

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Numero di parte	TPCC8001-H(TE12LQM
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Scheda dati	TPCC8001-H(TE12LQM Scheda dati
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
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Specifiche TPCC8001-H(TE12LQM

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-VDFN Exposed Pad
ECAD
Serie	U-MOSV-H
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 11A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON
Pacchetto / caso	8-VDFN Exposed Pad

Scheda tecnica TPCC8001-H(TE12LQM

TPCC8001-H(TE12LQM Packaging

TPCC8001-H(TE12LQM FAQ

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TPCC8001-H(TE12LQM

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

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D# TPCC8001-H(TE12LQMTR-ND

Toshiba America Electronic Components

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