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TPCF8201(TE85L,F,M

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Numero di parte TPCF8201(TE85L,F,M
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
Scheda dati

TPCF8201(TE85L,F,M Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche TPCF8201(TE85L,F,M

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 10V
Potenza - Max330mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreVS-8 (2.9x1.5)

Scheda tecnica TPCF8201(TE85L,F,M

TPCF8201(TE85L,F,M Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that TPCF8201(TE85L,F,M is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TPCF8201(TE85LFMTR-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8

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