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TPCF8402(TE85L,F,M

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Numero di parte TPCF8402(TE85L,F,M
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
Scheda dati

TPCF8402(TE85L,F,M Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche TPCF8402(TE85L,F,M

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds470pF @ 10V
Potenza - Max330mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreVS-8 (2.9x1.5)

Scheda tecnica TPCF8402(TE85L,F,M

TPCF8402(TE85L,F,M Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that TPCF8402(TE85L,F,M is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# V36:1790_13897180

Toshiba America Electronic Components

Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A 8-Pin VS T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# TPCF8402FTR-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

1600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET MOSFET N-Ch P-Ch 30V 4 3.2A

pbFree: Pb-Free
0

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MOSFET 30V N/P-CH 4A/3.2A VS-8

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