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TPH1R712MD,L1Q

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TPH1R712MD,L1Q

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Numero di parte TPH1R712MD,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
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pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 2.240 piece(s)
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Specifiche TPH1R712MD,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs182nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10900pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPH1R712MD,L1Q Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

TPH1R712MD,L1Q FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPH1R712MD,L1Q. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPH1R712MD,L1Q on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPH1R712MD,L1Q products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPH1R712MD,L1Q price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R

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D# TPH1R712MD,L1Q(M

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MOSFET SOP-8 SINGLE (Alt: TPH1R712MD,L1Q(M)

RoHS: Compliant
 0
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P-Channel 20V 60A(Tc) 1.2V @ 1mA 1.7mohms @ 30A,4.5V 78W(Tc) SOP Advance MOSFET RoHS

 8
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MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP

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