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TPN6R303NC,LQ

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Numero di parte TPN6R303NC,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 6.272 piece(s)
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Specifiche TPN6R303NC,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN6R303NC,LQ Packaging

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Packing
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TPN6R303NC,LQ FAQ

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  • 3. Are the TPN6R303NC,LQ price and inventory displayed accurate?
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