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TPN8R903NL,LQ

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Numero di parte TPN8R903NL,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 20A TSON
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche TPN8R903NL,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds820pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.9 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

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Sealing
Packing
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TPN8R903NL,LQ FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN8R903NL,LQ is from the original manufacturer or authorized agents?
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