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1SS307E,L3F

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1SS307E,L3F

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte 1SS307E,L3F
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione DIODE SW GP 80V 100MA ESC
Scheda dati
pacchetto SC-79, SOD-523
ECAD
A magazzino 80.424 piece(s)
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Specifiche 1SS307E,L3F

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSC-79, SOD-523
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)80V
Corrente - Rettificato medio (Io)100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3V @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10nA @ 80V
Capacità @ Vr, F6pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-79
Temperatura operativa - Giunzione150°C (Max)

1SS307E,L3F Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

1SS307E,L3F FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the 1SS307E,L3F. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including 1SS307E,L3F on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of 1SS307E,L3F products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the 1SS307E,L3F price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of 1SS307E,L3F?
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D# V72:2272_14140218

Toshiba America Electronic Components

Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307EL3F

D# 1SS307E,L3F

Toshiba America Electronic Components

SWITCHING DIODE SINGLE LOW LEAKAGE CURRENT ESC, ID: 0.1A, VR: 80V - Tape and Reel (Alt: 1SS307E,L3F)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307E,L3F(T

D# C1S751201205117

Toshiba America Electronic Components

Other semiconductors

RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Cut Tape
5600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307E,L3F(B

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RoHS (ship within 1day) - D/C 2020

7950
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307E,L3F

D# 1SS307EL3FCT-ND

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DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

51033
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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8260
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1SS307EL3FB

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

8800

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

11000

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Toshiba America Electronic Components

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

52800
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1SS307E,L3F

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8000
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D# 757-1SS307EL3F

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Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current

RoHS: Compliant
80524
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8076
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1SS307EL3FB

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1SS307EL3F

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

48095
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1SS307E,L3F

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1SS307EL3F

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Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE

pbFree: Pb-Free
0

1SS307E,L3F

Toshiba America Electronic Components

Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode SNG Low leak current

pbFree: Pb-Free
0
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1SS307E,L3F(T

D# 45662835

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Switching Diodes Silicon Epitaxial Planar

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