Name: TC58BVG2S0HBAI4
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TC58BVG2S0HBAI4
Price: 5.3916 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

TC58BVG2S0HBAI4

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Numero di parte	TC58BVG2S0HBAI4
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
Scheda dati
pacchetto	63-VFBGA
ECAD
A magazzino	4.480 piece(s)
Prezzo unitario	$ 5,3916 *
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Specifiche TC58BVG2S0HBAI4

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	63-VFBGA
ECAD
Serie	Benand?
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Tensione - Fornitura	2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	63-TFBGA (9x11)

TC58BVG2S0HBAI4 Packaging

TC58BVG2S0HBAI4 FAQ

1. How to order TC58BVG2S0HBAI4 on Heisener?

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3. Are the TC58BVG2S0HBAI4 price and inventory displayed accurate?

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Numero di parte

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TC58BVG2S0HBAI4

D# V36:1790_13898499

KIOXIA

NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 63-Pin TFBGA

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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TC58BVG2S0HBAI4

D# TC58BVG2S0HBAI4

KIOXIA

4Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V - Trays (Alt: TC58BVG2S0HBAI4)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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TC58BVG2S0HBAI4_TRAY

D# TC58BVG2S0HBAI4_TRAY

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TC58BVG2S0HBAI4_TRAY)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BVG2S0HBAI4

D# TC58BVG2S0HBAI4-ND

KIOXIA

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BVG2S0HBAI4

KIOXIA AMERICA, INC.

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BVG2S0HBAI4

D# 757-TC58BVG2S0HBAI4

Kioxia

NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

RoHS: Compliant

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