Name: TC58BYG2S0HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TC58BYG2S0HBAI6
Price: 4.8558 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (162 reviews)

TC58BYG2S0HBAI6

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Numero di parte	TC58BYG2S0HBAI6
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
Scheda dati
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
A magazzino	6.976 piece(s)
Prezzo unitario	$ 4,8558 *
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Specifiche TC58BYG2S0HBAI6

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
Serie	Benand?
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 Packaging

TC58BYG2S0HBAI6 FAQ

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BYG2S0HBAI6

D# V99:2348_18853859

KIOXIA

NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BYG2S0HBAI6

D# TC58BYG2S0HBAI6

KIOXIA

4Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG2S0HBAI6)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BYG2S0HBAI6_TRAY

D# TC58BYG2S0HBAI6_TRAY

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TC58BYG2S0HBAI6_TRAY)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TC58BYG2S0HBAI6

D# TC58BYG2S0HBAI6-ND

KIOXIA

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

338

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