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Numero di parte | TH58NYG3S0HBAI6 |
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Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrizione | IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA |
Scheda dati | |
pacchetto | 67-VFBGA |
ECAD | |
A magazzino | 7.536 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
Tempi di Consegna | Essere confermato |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TH58NYG3S0HBAI6 D# V36:1790_16023462 |
KIOXIA |
NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TH58NYG3S0HBAI6 D# TH58NYG3S0HBAI6 |
KIOXIA |
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58NYG3S0HBAI6) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TH58NYG3S0HBAI6_TRAY D# TH58NYG3S0HBAI6_TRAY |
Toshiba America Electronic Components |
NAND Flash Memory (Alt: TH58NYG3S0HBAI6_TRAY) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TH58NYG3S0HBAI6 D# TH58NYG3S0HBAI6-ND |
KIOXIA |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA |
256 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TH58NYG3S0HBAI6 |
KIOXIA AMERICA, INC. |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
305 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
TH58NYG3S0HBAI6 D# 757-TH58NYG3S0HBAI6 |
Kioxia |
NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant
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344 |
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86-755-83210559-802
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