Name: TH58BYG2S3HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TH58BYG2S3HBAI6
Price: 5.6343 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (180 reviews)

TH58BYG2S3HBAI6

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Numero di parte	TH58BYG2S3HBAI6
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Scheda dati
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
A magazzino	6.384 piece(s)
Prezzo unitario	$ 5,6343 *
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Specifiche TH58BYG2S3HBAI6

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
Serie	Benand?
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	67-VFBGA (6.5x8)

TH58BYG2S3HBAI6 Packaging

TH58BYG2S3HBAI6 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that TH58BYG2S3HBAI6 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the TH58BYG2S3HBAI6 price and inventory displayed accurate?

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Numero di parte

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Azione

TH58BYG2S3HBAI6

D# TH58BYG2S3HBAI6

KIOXIA

4GB SLC BENAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V (EEPROM) 2K PAGE - Trays (Alt: TH58BYG2S3HBAI6)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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TH58BYG2S3HBAI6

D# TH58BYG2S3HBAI6-ND

KIOXIA

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

338

Numero di parte

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TH58BYG2S3HBAI6

KIOXIA AMERICA, INC.

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